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秦國剛
中國科學院院士

秦國剛,天天德州官网版本物理学院教授。1934年3月生于南京,原籍江苏昆山。1956年7月毕业于天天德州官网版本物理系,1961年2月研究生毕业于该系(固体物理方向)。长期从事半导体材料物理研究。

他和他帶領的研究組在半導體雜質與缺陷和多孔矽與納米矽鑲嵌氧化矽發光領域做出系統的和創造性的成果,例如:在中子輻照含氫矽中檢測到結構中含氫缺陷在導帶以下0.20eV深能級,在國際上最早揭示矽中存在含氫深中心,提出的微觀結構,被實驗證實;發現退火消失溫度原本不同的各輻照缺陷在含氫矽中變得基本相同;最早揭示氫能顯著影響肖特基勢壘高度。測定的矽中銅的深能級參數被國際權威性半導體數據專著采用。1993年對多孔矽與納米矽鑲嵌氧化矽光致發光提出量子限制-發光中心模型,成功解釋大量實驗,得到廣泛支持;首次觀察到p-Si襯底上氧化矽發光中心的電致發光現象。在此基礎上,設計並研制出一系列矽基電致發光新結構,如:半透明金膜/納米(SiO2/Si/SiO2)雙壘單阱/p-Si等。發光波長從近紅外延伸到近紫外。所提出的電致發光機制模型,被廣泛引用。

獲國家教委(教育部)科技進步一等獎和二等獎各一次,中科院自然科學獎二等獎一次;獲物理學會2000-2001年度葉企孫獎。在國內外重要期刊上發表論文180余篇,其中SCI論文130余篇。